崗位職責(zé)：

1. 負(fù)責(zé)IGBT、MOSFET、FRD等功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)與開發(fā)工作，含工藝仿真、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、版圖繪制，工藝流程制定，檢測(cè)程序制定；

2. 負(fù)責(zé)解決芯片設(shè)計(jì)與開發(fā)過程中的關(guān)鍵設(shè)計(jì)、仿真、工藝等技術(shù)問題，進(jìn)行芯片性能分析及優(yōu)化，確保研發(fā)項(xiàng)目的順利進(jìn)行；

3. 根據(jù)需求進(jìn)行產(chǎn)品變更與維護(hù)，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)分析；

4. 新材料，新器件，新產(chǎn)品技術(shù)情報(bào)收集與分析.

學(xué)歷要求：

1.碩士及以上，物理學(xué)，微電子，電子工程，電氣工程，自動(dòng)化等相關(guān)專業(yè)；

能力要求：

1. 5年以上相關(guān)工作經(jīng)驗(yàn)，具有功率器件從設(shè)計(jì)到量產(chǎn)的完整經(jīng)驗(yàn)優(yōu)先；

2. 精通IGBT，MOSFET，F(xiàn)RD等功率器件原理；

3. 熟悉IGBT，MOSFET，F(xiàn)RD等功率器件工藝；

4. 熟悉常見電力電子拓?fù)洌?/span>熟悉常見功率器件封裝；

5. 熟練使用Sentaurus TCAD或Silvaco TCAD等工具。